1月3日，Nature子刊《Nature Communications》在线刊登了北京航空航天大学材料科学与工程学院刘知琪教授（第一兼通讯作者）及其合作者的研究成果“Electrically Reversible Cracks in an Intermetallic Film Controlled by an Electric Field”，北航是该工作的第一单位。
此项研究利用间金属纳米薄膜和铁电氧化物的异质结，实现了一种全新的电阻式记忆存储器件。铁电氧化物块体在周期性外加电场下，由于铁电畴的不均匀反转和畴壁应力，会产生纳米甚至微米尺度裂痕，这些裂痕对大多数铁电性能的应用非常有害。此项工作中，研究人员创新地利用了这种裂痕，将电阻率和力学延展性能均介于金属和陶瓷绝缘体之间的间金属薄膜集成到铁电氧化物基片上，成功实现了间金属薄膜中纳米裂痕在外加电场驱动下的可逆开关，从而产生了庞电电阻调制，高低阻态开关比>108。
此外，这种存储器件中电阻态的改变（对应信息的写）由外加电场完成，故而能耗很低；工作原理和微机电系统（MEMS）类似，但制备工艺大为简化，且具有记忆功能。这项工作为新一代信息存储开辟了新途径。
该研究得到了国家自然科学基金（51771009）、北航双一流启动经费和拔尖人才计划的支持。
